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SEM-CL應(yīng)用 半導(dǎo)體

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超高時(shí)間、空間分辨陰極熒光技術(shù)助力半導(dǎo)體激子和載流子動(dòng)力學(xué)研究


從原子尺度對(duì)半導(dǎo)體材料的電子能帶結(jié)構(gòu)和載流子動(dòng)力學(xué)進(jìn)行人工裁剪和調(diào)控,對(duì)于設(shè)計(jì)型光電子功能器件和提升現(xiàn)有半導(dǎo)體光電子器件性能,尤其是小尺度的納米光電子器件。為了從實(shí)驗(yàn)上直接證實(shí)應(yīng)變梯度對(duì)半導(dǎo)體激子和載流子動(dòng)力學(xué)的驅(qū)動(dòng)效應(yīng),俞大鵬院士課題組利用超高時(shí)間/空間分辨的陰極熒光(TRCL)技術(shù)對(duì)純彎曲ZnO微/納米開(kāi)展皮秒時(shí)間分辨的激子動(dòng)力學(xué)開(kāi)展了深入研究,首次從實(shí)驗(yàn)上直接觀察到了應(yīng)變梯度對(duì)激子的驅(qū)動(dòng)效應(yīng),確立了半導(dǎo)體中應(yīng)變梯度的重要作用,即應(yīng)變梯度可有效用于調(diào)控半導(dǎo)體激子和載流子動(dòng)力學(xué)特性,這對(duì)于設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)各種新型半導(dǎo)體光電子器件具有十分重要的指導(dǎo)意義。

應(yīng)用示例

 –局部輻射和非輻射載流子壽命的測(cè)量 

– 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的激發(fā)載流子動(dòng)力學(xué) 

– 先進(jìn)的泵浦光譜學(xué)


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